日前，由华芯半导体有限公司牵头申报的国家863科技计划重大专项“新型非易失存储器设计共性关建技术研究”主题项目获得国家科技部正式批复，项目总投资1.4亿元，其中国家专项经费支持6961万元，自筹经费7039万元。这是华芯继承担“核高基”重大专项“面向安全适用计算机的高性能低功耗动态随机存储器(DRAM)芯片产品研发”项目后再次承担国家级重大研发专项，充分显示了华芯在中国半导体存储器领域的领先地位。

        该项目研发团队由华芯半导体有限公司、清华大学微电子所、北京大学微电子学研究院、中科院微电子所、复旦大学集成电路与系统国家重点实验室以及西安交通大学智能系统研究所、华中科技大学存储系统国家专业实验室等国内半导体存储研发领域核心单位的主要研发人员组成，团队绝大多数主要成员都具有博士以上学位，在国际大公司多年研发经验，代表国内本领域的最高水平。
 
        当前，大容量非易失存储器已经成为支撑我国网络通信、高性能计算和消费电子等电子信息产业发展的核心技术，但是由于我国相关产业缺乏竞争力，非易失存储技术成为制约我国微电子产业全面平衡发展的主要瓶颈之一。因此，研究先进的新型大容量非易失存储器，突破基于新原理和新结构的新型非易失存储器设计共性关键技术，对于我国信息技术及产业的发展具有重要的引领作用，是国家在“十二五”“培育发展战略性新兴产业”规划中重点支持的重大专项。
 
        “新型非易失存储器设计共性关建技术研究”项目将重点围绕与CMOS工艺兼容、适于大规模生产的非易失阻性随机存储器（RRAM）芯片设计相关的共性关键技术，从存储芯片设计角度出发，在RRAM存储器的制造工艺一致性、高速接口电路、高可靠纠错电路、芯片设计和测试等核心技术上取得突破，研制出国际先进水平的高速、高密度、低功耗、高擦写次数和高可靠的新型RRAM非易失存储芯片，设计RRAM的独立式和嵌入式应用验证系统，实现RRAM在主流高端领域的示范应用，取得一批自主知识产权和前沿性成果，抢占下一代新型存储器技术的制高点。
 

        通过本项目的实施，将实现我国下一代存储器的自主创新,突破国外技术封锁和专利壁垒，将有力推动我国半导体存储器事业的发展，并为我国半导体存储器产业的建立和持续滚动发展做好核心技术、人才、队伍和基础设施的积累。项目的实施将有力提升山东省和济南市在国家集成电路领域中的地位，对于我省产业结构调整、提升创新水平、建设创新型省市都具有重要意义。