华芯DRAM芯片基于新一代技术和规范，具有速度快、容量高、功耗低等特性。采用球型数组封装（Fine-pitch BGA，FBGA）形式，提供了更好的电气性能与散热性，为稳定工作和高频下的信号完整性提供了良好的保障。同时在芯片内部引入片外驱动调整（Off-Chip Driver， OCD）、片内信号匹配终结电阻（On-Die Termination， ODT）等技术以保证最佳的信号品质。高达2Gb 容量的单芯片，可显著提升内存模组的容量。

华芯DDR2内存模组，具有更快的速度、更高的数据频宽、更好的信号完整性、更低的电源消耗以及更高的散热效能等特性。秉承奇梦达在内存模组方面的先进技术，每一条华芯内存模组皆经过精心的设计与制造，并进行完整的测试，以保证为客户提供高品质的内存模组，使内存在系统应用中具有更好的兼容性，并能充分发挥可靠而稳定的性能。华芯生产多样的内存产品以满足不同客户的需求，如各种容量以及速度的U-DIMM,SO-DIMM,R-DIMM,Fully buffered DIMM等，并且拥有技术能力为客户开发专门定制的模组。 

华芯DDR3模组采用目前业内领先的BWL（埋藏字线）技术进行设计，在相同工艺水平下，可以提供更优异的性能和更低的功耗。全面的品质管控，Wafer，颗粒，模组均通过华芯内部严格的测试流程进行筛选，确保质量的稳定性和可靠性。全面的技术支持，产品终生保固。